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肖特基二极管

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  1. Detaile

SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。
    SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。

型号

参数

封装

型号

参数

封装

1N60

40V/30mA

DO-35 GLASS

SS12

1A/20V

DO-214AC/SMA

1N60P

45V/50mA

DO-35 GLASS

SS13

1A/30V

DO-214AC/SMA

1N5711

70V/15mA

DO-35 GLASS

SS14

1A/40V

DO-214AC/SMA

1N5712

20V/35mA

DO-35 GLASS

SS15

1A/50V

DO-214AC/SMA

1N5817

1A/20V

DO-41

SS16

1A/60V

DO-214AC/SMA

1N5818

1A/30V

DO-41

SS22

2A/20V

DO-214AA/SMB

1N5819

1A/40V

DO-41

SS23

2A/30V

DO-214AA/SMB

1N5820

3A/20V

DO-27

SS24

2A/40V

DO-214AA/SMB

1N5821

3A/30V

DO-27

SS25

2A/50V

DO-214AA/SMB

1N5822

3A/40V

DO-27

SS26

2A/60V

DO-214AA/SMB