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整流二极管

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  1. Detaile

一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。

整流管

参数

封装

整流管

参数

封装

1N4001

1A/50V

DO-41

1N5396

1.5A/800V

DO-15

1N4002

1A/100V

DO-41

1N5397

1.5A/1000V

DO-15

1N4004

1A/400V

DO-41

1N5400

 3A/50V

DO-27

1N4005

1A/600V

DO-41

1N5401

 3A/100V

DO-27

1N4006

1A/800V

DO-41

1N5402

 3A/200V

DO-27

1N4007

1A/1000V

DO-41

1N5404

 3A/400V

DO-27

1N5391

1.5A/50V

DO-15

1N5406

 3A/600V

DO-27

1N5392

1.5A/100V

DO-15

1N5407

 3A/800V

DO-27

1N5394

1.5A/400V

DO-15

1N5408

 3A/1000V

DO-27